碳化硅SIC是一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。

碳化硅等第三代半導(dǎo)體是功率半導(dǎo)體的一個(gè)投資重點(diǎn)方向。《中國制造2025》中四次提到碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體，國家大基金也把碳化硅列為了重點(diǎn)投資方向之一。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國外企業(yè)所壟斷。